STP20NE10

STP20NE10图片1
STP20NE10中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 10.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 37 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买STP20NE10
型号: STP20NE10
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO- 220 MOSFET的STripFET N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO-220 STripFET MOSFET
替代型号STP20NE10
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