漏源极电阻 10.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 37 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 Non-Compliant
数据手册
STP20NE10
ST Microelectronics 意法半导体
当前型号
BUZ21
英飞凌
功能相似
RFP18N10
英特矽尔