FQB6N60和STB14NK60ZT4

对比图

型号 FQB6N60 STB14NK60ZT4 IRFBC20SPBF

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsPower Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 600V, 4.4Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Intertechnology

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 D2PAK TO-263-3 -

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 13.5 A -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 500 mΩ -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 160 W -

阈值电压 - 3.75 V -

输入电容 - 2220 pF -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

漏源击穿电压 - 600 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 6.2A 13.5 A -

上升时间 - 18 ns -

输入电容(Ciss) - 2220pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 160 W -

下降时间 - 13 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 160W (Tc) -

长度 - 10.75 mm -

宽度 - 10.4 mm -

高度 - 4.6 mm -

封装 D2PAK TO-263-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -