对比图
描述 放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier Transistors(NPN Silicon)通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistor NPN Silicon
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
封装 - TO-92-3
额定电压(DC) - 25.0 V
额定电流 - 100 mA
极性 - NPN
耗散功率 - 625 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 25 V
集电极最大允许电流 - 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 10V
额定功率(Max) - 625 mW
直流电流增益(hFE) - 100
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 625 mW
长度 - 5.2 mm
宽度 - 4.19 mm
高度 - 5.33 mm
封装 - TO-92-3
材质 - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 - Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - EAR99