IRF8707GTRPBF和STS11N3LLH5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF8707GTRPBF STS11N3LLH5

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC T/RSTMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SO-8 SOIC-8

针脚数 - 8

漏源极电阻 17.5 mΩ 0.0117 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.7 W

阈值电压 1.8 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

输入电容(Ciss) - 724pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.7 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 2.7W (Tc)

通道数 1 -

产品系列 IRF8707G -

输入电容 760pF @15V -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 SO-8 SOIC-8

长度 5 mm -

高度 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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