KST5550MTF和MMBT5550LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KST5550MTF MMBT5550LT1G MMBT6429LT1

描述 KST5550 系列 140 V 0.6 A SOT-23 表面贴装 双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  MMBT5550LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 225 mW, 600 mA, 250 hFE放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 140 V 140 V 50.0 V

额定电流 600 mA 600 mA 200 mA

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.35 W 225 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 140 V 140 V 45 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V 500 @100µA, 5V

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) - 250 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

频率 300 MHz - 700 MHz

长度 - 3.04 mm 2.9 mm

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 1.01 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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