CSD18509Q5B和CSD18509Q5BT

对比图

型号 CSD18509Q5B CSD18509Q5BT CSD18510Q5B

描述 40V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD18509Q5BTEXAS INSTRUMENTS  CSD18509Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 1.8 V40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、0.96mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSON-CLIP VSON-Clip-8 8-VSON-CLIP

耗散功率 3.1 W 195 W 3.1 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

上升时间 19 ns 19 ns 17 ns

输入电容(Ciss) 13900pF @20V(Vds) 10700pF @20V(Vds) 8770pF @20V(Vds)

下降时间 11 ns 11 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 3100 mW

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.001 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

阈值电压 - 1.8 V -

漏源击穿电压 - 40 V -

连续漏极电流(Ids) 100A 100A -

封装 VSON-CLIP VSON-Clip-8 8-VSON-CLIP

长度 - 5 mm -

宽度 - 5 mm -

高度 - 1 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -