DMN61D8LQ-13和DMN61D8LQ-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN61D8LQ-13 DMN61D8LQ-7

描述 N沟道 60V 470mA晶体管, MOSFET, N沟道, 470 mA, 60 V, 1.1 ohm, 5 V, 2 V

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

通道数 1 -

漏源极电阻 2.4 Ω 1.1 Ω

极性 N-CH N-CH

耗散功率 390 mW 390 mW

阈值电压 1.3 V 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V -

连续漏极电流(Ids) 0.47A 0.47A

上升时间 301 ns 301 ns

输入电容(Ciss) 12.9pF @12V(Vds) 12.9pF @12V(Vds)

下降时间 440 ns 440 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 390mW (Ta) 390mW (Ta)

针脚数 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

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