对比图
型号 MTB50P03HDL MTB50P03HDLT4G MTB50P03HDLT4
描述 功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAKON SEMICONDUCTOR MTB50P03HDLT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAK
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V
额定电流 -50.0 A -50.0 A -50.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 25.0 mΩ 0.025 Ω 25 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 125 W 125 W 125 W
漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30 V
栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A 50.0 A
上升时间 340 ns 340 ns 340 ns
输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W
下降时间 218 ns 218 ns 218 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 125000 mW 2.5W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 1.5 V -
输入电容 3.50 nF - -
栅电荷 100 nC - -
长度 - 10.29 mm 10.29 mm
宽度 - 9.65 mm 9.65 mm
高度 - 4.83 mm 4.83 mm
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99