FDD6670AS_NL和FDD6670S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD6670AS_NL FDD6670S FDD6670S_NL

描述 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET30V N-Channel PowerTrench SyncFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

漏源极电阻 - 9.00 mΩ -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 70 W -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 76A 64A 64A

上升时间 - 10 ns -

下降时间 - 14 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台