70T3339S133BCI和70T633S10BCI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3339S133BCI 70T633S10BCI 70V7339S133BCI

描述 静态随机存取存储器 512K X 18 DPSRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 10ns 256Pin CABGA Tray静态随机存取存储器 512K X 18, 9M

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 256 256 256

封装 CABGA-256 LBGA-256 CABGA-256

电源电压 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V 3.15V ~ 3.45V

存取时间 4.2 ns - 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

长度 17 mm 17.0 mm 17 mm

宽度 17 mm 17.0 mm 17 mm

封装 CABGA-256 LBGA-256 CABGA-256

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

高度 1.4 mm - 1.4 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube, Rail Tube, Rail Tube, Rail

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

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