STP130N10F3和FDP085N10A_F102

对比图

型号 STP130N10F3 FDP085N10A_F102

描述 N沟道100 V， 7.8英里©典型值， 120一STripFETâ ?? ¢ III功率MOSFET采用TO- 220FP ， I²PAKFP ， H²PAK - 2和TO- 220封装 N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET™III Power MOSFET in TO-220FP, I²PAKFP, H²PAK-2 and TO-220 packagesPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 250 W 188 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

上升时间 38 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 3305pF @25V(Vds) 2695pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 250 W 188 W

下降时间 7.2 ns 8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250W (Tc) 188 W

通道数 - 1

漏源极电阻 - 7.35 mΩ

极性 - N-CH

阈值电压 - 4 V

漏源击穿电压 - 100 V

连续漏极电流(Ids) - 96A

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.36 mm

宽度 - 4.672 mm

高度 - 15.215 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free