对比图
型号 IPD60R950C6 IPD60R950C6ATMA1 IPA60R950C6
描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON IPD60R950C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3
通道数 1 1 1
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 860 mΩ 0.68 Ω 860 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 37 W 48 W 26 W
阈值电压 2.5 V 3 V 2.5 V
输入电容 - 280 pF -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 4.4A 4.4A 4.4A
上升时间 8 ns 8 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 280pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 37 W 37 W 26 W
下降时间 13 ns 13 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 37W (Tc) 37W (Tc) 26W (Tc)
长度 6.5 mm 6.5 mm 10.65 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 4.85 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 16.15 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - - EAR99