对比图
型号 IRLL024NPBF STN3NF06L IRLL024NTRPBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRLL024NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 3.1A SOT-223 新STMICROELECTRONICS STN3NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 VINFINEON IRLL024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4 3
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
额定功率 - 3.3 W 2.1 W
针脚数 3 4 3
漏源极电阻 0.1 Ω 0.07 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.1 W 3.3 W 1 W
阈值电压 - 2.8 V 2 V
输入电容 510pF @25V - 510 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 55 V 60.0 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 3.10 A 4.00 A 4.4A
上升时间 21.0 ns 25 ns 21 ns
输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 3.3 W 1 W
下降时间 - 10 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.3W (Tc) 1W (Ta)
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -
额定电流 3.10 A 4.00 A -
通道数 1 1 -
栅源击穿电压 - ±16.0 V -
产品系列 IRLL024N - -
长度 6.7 mm 6.5 mm 6.7 mm
宽度 - 3.5 mm 3.7 mm
高度 1.45 mm 1.8 mm 1.739 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2018/01/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -