对比图
型号 IRFP260NPBF PSMN040-200W,127 IRFP260PBF
描述 N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。TO-247 N-CH 200V 50AVISHAY IRFP260PBF. 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 46A, TO-247AC
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
引脚数 3 - 3
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 300W (Tc) 280 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 50A 50A 46.0 A
输入电容(Ciss) 4057pF @25V(Vds) 9530pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 280 W
额定功率 300 W - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.04 Ω - 0.055 Ω
阈值电压 4 V - 2 V
输入电容 4057 pF - 5200pF @25V
漏源击穿电压 200 V - 200 V
上升时间 60 ns - 120 ns
热阻 0.5℃/W (RθJC) - -
额定功率(Max) 300 W - -
下降时间 48 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 46.0 A
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 15.9 mm - 15.87 mm
宽度 5.3 mm - 5.31 mm
高度 20.3 mm - 20.82 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Obsolete -
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17