对比图
型号 BUK653R4-40C SUP90N04-3M3P-GE3
描述 NXP BUK653R4-40C 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 3050 µohm, 10 V, 2.3 VVISHAY SUP90N04-3M3P-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole
引脚数 3 3
封装 SOT-78 TO-220
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.00305 Ω 0.0027 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 204 W 125 W
阈值电压 2.3 V 1 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
上升时间 - 7 ns
输入电容(Ciss) - 5286pF @20V(Vds)
下降时间 - 7 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 125 W
长度 - 10.51 mm
宽度 - 4.65 mm
高度 - 15.49 mm
封装 SOT-78 TO-220
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15
产品生命周期 Unknown -