对比图
型号 IRF4104SPBF STB150NF55T4 STB120N4F6
描述 MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68NCSTMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 75.0 V 55.0 V -
额定电流 75.0 A 120 A -
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 5.5 mΩ 5 mΩ 4 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 140 W 300 W 110 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 3000pF @25V 4400 pF -
漏源极电压(Vds) 40 V 55 V 40 V
漏源击穿电压 40.0 V 55 V 40 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 60.0 A 80A
上升时间 130 ns 180 ns 70 ns
输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 140 W 300 W 110 W
下降时间 77 ns 80 ns 20 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 140000 mW 300W (Tc) 110 W
产品系列 IRF4104S - -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99