对比图
型号 BC856BLT3G SBC856BLT1G BC 856B E6433
描述 PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 100 MHz 100 MHz -
针脚数 3 3 -
极性 PNP PNP -
耗散功率 225 mW 225 mW 330 mW
击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -
最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) 225 mW 300 mW 330 mW
直流电流增益(hFE) 220 150 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 330 mW
额定电压(DC) -65.0 V - -65.0 V
额定电流 -100 mA - -100 mA
额定功率 225 mW - -
长度 2.9 mm 3.04 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 2.64 mm 1.3 mm
高度 0.94 mm 1.11 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -