71T75602S200BGG和IDT71T75602S166BG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71T75602S200BGG IDT71T75602S166BG 71T75602S166BGI

描述 SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-bit 512K x 36 3.2ns 119Pin BGA Tray512K ×36 , 1M ×18 2.5V同步ZBT⑩ SRAM的2.5VI / O,突发计数器输出流水线 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined OutputsSRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 3.5ns 119Pin BGA Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 119 - 119

封装 BGA BGA BGA-119

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 40 ℃

存取时间 - - 3.5 ns

电源电压 - - 2.375V ~ 2.625V

电源电压(Max) - - 2.625 V

电源电压(Min) - - 2.375 V

高度 1.55 mm - 2.15 mm

封装 BGA BGA BGA-119

长度 - - 14 mm

宽度 - - 22 mm

厚度 - - 2.15 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

ECCN代码 - 3A991 -

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