IPB017N06N3 G和IPB023N06N3GATMA1

对比图

型号 IPB017N06N3 G IPB023N06N3GATMA1 IPB034N06N3GATMA1

描述 INFINEON  IPB017N06N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 1.3 mohm, 10 V, 3 VD2PAK N-CH 60V 140AD2PAK N-CH 60V 100A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7

引脚数 7 - -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 250 W 214W (Tc) 167W (Tc)

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 140A 100A

输入电容(Ciss) 23000pF @30V(Vds) 16000pF @30V(Vds) 11000pF @30V(Vds)

耗散功率(Max) 250W (Tc) 214W (Tc) 167W (Tc)

额定功率(Max) - - 167 W

针脚数 7 - -

漏源极电阻 1.3 mΩ - -

阈值电压 3 V - -

上升时间 80 ns - -

下降时间 24 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7

长度 10 mm - -

宽度 9.25 mm - -

高度 4.4 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -