对比图
型号 JANTXV2N5672 JANTXV2N6676 BD437TG
描述 NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-3 TO-3 TO-225-3
引脚数 3 - 3
封装 TO-3 TO-3 TO-225-3
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray - Tube
香港进出口证 NLR NLR -
ECCN代码 - - EAR99
频率 - - 3 MHz
额定电压(DC) - - 45.0 V
额定电流 - - 4.00 A
极性 NPN - NPN
耗散功率 6 W - 36 W
击穿电压(集电极-发射极) 120 V - 45 V
集电极最大允许电流 30A - 4A
最小电流放大倍数(hFE) 20 @15A, 2V - 85 @500mA, 1V
额定功率(Max) 6 W - 36 W
工作温度(Max) 200 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 6000 mW - 36000 mW
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free