BC856BE6433和BC856BLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856BE6433 BC856BLT1G BC856B

描述 SOT-23 PNP 65V 0.1AON SEMICONDUCTOR  BC856BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFESmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23

额定电压(DC) -65.0 V -65.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

极性 PNP PNP, P-Channel -

耗散功率 330 mW 300 mW 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 65 V -65.0 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 330 mW - 250 mW

频率 - - 100 MHz

增益频宽积 - - 100 MHz

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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