IRL3803和IRL3803PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL3803 IRL3803PBF 3803

描述 TO-220AB N-CH 30V 140AINFINEON  IRL3803PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 VPower Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定功率 - 150 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 6.00 mΩ (max) 0.006 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 200W (Tc) 150 W -

阈值电压 - 1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 140 A 140A -

上升时间 230 ns 230 ns -

输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 200 W -

下降时间 - 35 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 140 A - -

产品系列 IRL3803 - -

漏源击穿电压 30.0V (min) - -

高度 - 8.77 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Rail, Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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