对比图
型号 IRFB3077PBF IRFB3207ZPBF FDP032N08
描述 INFINEON IRFB3077PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 75 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP032N08 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 3.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0033 Ω 0.0041 Ω 0.0025 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 370 W 300 W 375 W
阈值电压 4 V 4 V 3.5 V
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 210A 170A 235A
输入电容(Ciss) 9400pF @50V(Vds) 6920pF @50V(Vds) 15160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 370 W 300 W 375 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 370W (Tc) 300000 mW 375W (Tc)
额定功率 370 W 300 W -
通道数 1 - -
输入电容 9400 pF 6920 pF -
漏源击穿电压 75 V - -
上升时间 87 ns 68 ns -
下降时间 95 ns 68 ns -
长度 10.67 mm 10.66 mm 10.1 mm
宽度 4.82 mm 4.82 mm 4.7 mm
高度 9.02 mm 9.02 mm 15.38 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -