对比图
型号 FDPF16N50UT IRFIB7N50APBF ZDX130N50
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 - -
漏源极电阻 370 mΩ 520 mΩ -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 38.5 W 60 W 40 W
阈值电压 5 V - -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V -
连续漏极电流(Ids) 15A 6.60 A 13A
上升时间 150 ns 35.0 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 1945pF @25V(Vds) 1423pF @25V(Vds) 2180pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 38.5 W 60 W -
下降时间 80 ns - 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 38.5W (Tc) 60 W 40W (Tc)
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 6.60 A -
长度 10.36 mm - 10.3 mm
宽度 4.9 mm - 4.8 mm
高度 16.07 mm 9.8 mm 15.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Not For New Designs
包装方式 Tube Tube Bulk
最小包装 - 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free