对比图
型号 BSS84-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G
描述 三极管小信号P沟道SOT23封装场效应管ON SEMICONDUCTOR BSS84LT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 V
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V
额定电流 -130 mA -130 mA -130 mA
额定功率 - - 0.225 W
无卤素状态 - - Halogen Free
通道数 1 - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 10 Ω 10.0 Ω 10 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 300 mW 225 mW 225 mW
阈值电压 0.8 V - 2 V
输入电容 45.0 pF 30.0 pF 36pF @5V
漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V
漏源击穿电压 50 V 50.0 V 50 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 130 mA 130 mA 130 mA
上升时间 - 1 ns 9.7 ns
正向电压(Max) - - 2.2 V
输入电容(Ciss) 45pF @25V(Vds) 30pF @5V(Vds) 30pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 300 mW - 225 mW
下降时间 - 8 ns 1.7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 225mW (Ta) 225 mW
长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 1 mm 0.94 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
军工级 Yes - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99