FDG1024NZ和SI1988DH-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDG1024NZ SI1988DH-T1-E3 SI1922EDH-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG1024NZ  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.16 ohm, 4.5 V, 800 mVMOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6VISHAY SI1922EDH-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 1.3A, 20V, 0.165Ω, 4.5V, 400mV

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

引脚数 6 6 -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

额定功率(Max) 300 mW 1.25 W 1.25 W

通道数 2 - -

针脚数 6 - -

漏源极电阻 0.16 Ω - -

极性 Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel -

耗散功率 360 mW - -

阈值电压 800 mV - -

漏源击穿电压 20 V - -

连续漏极电流(Ids) 1.2A 1.30 A -

上升时间 1.7 ns - -

输入电容(Ciss) 150pF @10V(Vds) 110pF @10V(Vds) -

下降时间 1.5 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 0.3 W - -

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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