对比图
型号 IRF331 IRF3315 IRF3315PBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3TO-220AB N-CH 150V 27AINFINEON IRF3315PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 70 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 - TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - - 3
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 - 136W (Tc) 94 W
漏源极电压(Vds) - 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) - 27A 23A
输入电容(Ciss) - 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 136W (Tc) 94W (Tc)
额定功率 - - 94 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.07 Ω
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 1300 pF
漏源击穿电压 - - 150 V
上升时间 - - 32 ns
热阻 - - 1.6℃/W (RθJC)
额定功率(Max) - - 94 W
下降时间 - - 38 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 - TO-220-3 TO-220-3
长度 - - 10.54 mm
宽度 - - 4.69 mm
高度 - - 8.77 mm
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17