JANTX2N3439L和JANTXV2N3439L

对比图

型号 JANTX2N3439L JANTXV2N3439L 2N3439

描述 TRANS NPN 350V 1A Bipolar Junction TO-5Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5NTE ELECTRONICS 2N3439 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350V, 15MHz, 1W, 1A, 160 hFE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 - 3

封装 TO-5 TO-5 -

耗散功率 0.8 W - 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V -

额定功率(Max) 800 mW 800 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 800 mW - -

极性 - - NPN

直流电流增益(hFE) - - 160

封装 TO-5 TO-5 -

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free