TN2540N3-G和VP0550N3-G

对比图

型号 TN2540N3-G VP0550N3-G TN2540N3-G-P002

描述 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 175 mA, 400 V, 8 ohm, 10 V, 2 VTO-92P-CH 500V 0.054ATrans MOSFET N-CH 400V 0.175A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

耗散功率 1 W 1 W 740 mW

漏源极电压(Vds) 400 V 500 V 400 V

上升时间 15 ns 8 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 125pF @25V(Vds) 70pF @25V(Vds) 125pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns 5 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Tc) 1W (Ta)

额定功率 1 W 1 W -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 8 Ω 125 Ω -

极性 N-CH P-CH -

阈值电压 2 V - -

连续漏极电流(Ids) 0.175A 0.054A -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 500 V -

长度 - 5.21 mm 5.21 mm

宽度 - 4.19 mm 4.19 mm

高度 - 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅