对比图
型号 BFG135 BFG19SE6327 MRF587
描述 NXP BFG135 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 7 GHz, 1 W, 150 mA, 130 hFERF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN射频线NPN硅高频晶体管噪声系数3.0分贝@ 500MHz的 The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHz
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
封装 SOT-223 SOT-223 244A-01
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 - -
极性 NPN - NPN
耗散功率 1 W - 5 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 17 V
增益 - - 13 dB
最小电流放大倍数(hFE) - - 50 @50mA, 5V
针脚数 3 - -
直流电流增益(hFE) 130 - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
耗散功率(Max) 1 W - -
额定电压(DC) - 15.0 V -
额定电流 - 100 mA -
封装 SOT-223 SOT-223 244A-01
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -