对比图
型号 LMV358M LMV358MX/NOPB MCP6002-I/SN
描述 TEXAS INSTRUMENTS LMV358M 运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 1 V/µs, 2.7V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS LMV358MX/NOPB 芯片, 运算放大器, 低电压, 2路, 1MHz, SOIC8MICROCHIP MCP6002-I/SN 运算放大器, 双路, AEC-Q100, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 1.8V 至 6V, SOIC, 8 引脚
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Microchip (微芯)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 5.00 V - 1.80V (min)
输出电流 60.0 mA 60.0 mA 23 mA
供电电流 210 µA 210 µA 100 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 8 8
共模抑制比 50 dB 50 dB 76 dB
输入补偿漂移 5.00 µV/K 5.00 µV/K 2.00 µV/K
带宽 1 MHz 1 MHz 1 MHz
转换速率 1.00 V/μs 1.00 V/μs 600 mV/μs
增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz
输入补偿电压 1.7 mV 1.7 mV 4.5 mV
输入偏置电流 15 nA 15 nA 1 pA
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 1 MHz 1 MHz 1 MHz
共模抑制比(Min) 50 dB 50 dB 60 dB
电源电压 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V 1.8V ~ 6V
电源电压(Max) - 5.5 V 6 V
电源电压(Min) - 2.7 V -
工作电压 - - 1.8V ~ 5.5V
静态电流 - - 170 µA
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
高度 - 1.5 mm 1.25 mm
长度 - - 4.9 mm
宽度 - - 3.9 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99