对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BU406 . 双极性晶体管, NPN, 200V, TO-220ON SEMICONDUCTOR BU406G 单晶体管 双极, NPN, 200 V, 10 MHz, 60 W, 7 A, 10 hFE 新NTE ELECTRONICS NTE379 双极性晶体管
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
频率 10 MHz 10 MHz 4 MHz
针脚数 3 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 60 W 60 W 100 W
击穿电压(集电极-发射极) 200 V 200 V 400 V
集电极最大允许电流 - 7A 12A
直流电流增益(hFE) - 10 40
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW 2000 mW
额定电压(DC) 150 V 200 V -
额定电流 7.00 A 7.00 A -
最小电流放大倍数(hFE) 10 - -
额定功率(Max) 60 W 60 W -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
长度 10.1 mm - -
宽度 4.7 mm 4.82 mm -
高度 15.38 mm - -
材质 - Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 - - 85412900951