对比图
型号 BUK7510-100B BUK7510-100B,127 PSMN015-100P,127
描述 MOS(场效应管)/BUK7510-100B 管装TO-220AB N-CH 100V 110A晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - - 3
极性 - N-CH -
耗散功率 - 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 110A -
输入电容(Ciss) 6773pF @25V(Vds) 6773pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.012 Ω
阈值电压 - - 3 V
输入电容 - - 4900 pF
上升时间 - - 65 ns
下降时间 - - 50 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 110 A - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅