FQP19N20L和IRL640A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQP19N20L IRL640A

描述 LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFETMOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 200 V 200 V

额定电流 21.0 A 18.0 A

漏源极电阻 110 mΩ 180 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 140W (Tc) 110 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 18.0 A

输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 1705pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 110 W

耗散功率(Max) 140W (Tc) 110W (Tc)

针脚数 - 3

阈值电压 - 2 V

上升时间 - 8 ns

下降时间 - 15 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.67 mm

宽度 - 4.7 mm

高度 - 16.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99

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