对比图
型号 CY7C1165KV18-550BZC CY7C1165KV18-550BZXC
描述 18 - Mbit的QDR ？ II + SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit QDR? II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)18 - Mbit的QDR ？ II + SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit QDR? II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165
供电电流 1100 mA -
时钟频率 550 MHz -
位数 36 36
存取时间 0.45 ns -
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
封装 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a