BSC028N06LS3G和BSC046N02KSG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC028N06LS3G BSC046N02KSG BSC100N06LS3G

描述 60V,100A,N沟道功率MOSFET,带逻辑电平20V,80A,N沟道功率MOSFETOptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8 168 TDSON

额定功率 139 W - -

通道数 1 - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 139W (Tc) - -

耗散功率 - 48.0 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) - - 60 V

宽度 6.1 mm - -

封装 PG-TDSON-8 168 TDSON

产品生命周期 Active Not Recommended for New Design Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

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