对比图
型号 BQ4010YMA-150N DS1225Y-150 DS1225AD-150+
描述 为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28Pin EDIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-150+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 DIP-28 DIP EDIP-28
电源电压(DC) 5.00 V 4.50V (min) 5.00 V, 5.50 V (max)
工作电压 - 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
针脚数 - - 28
时钟频率 - - 150 GHz
存取时间 150 ns 150 ns 150 ns
内存容量 - 8000 B 8000 B
工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V
电源电压(Min) 4.5 V - 4.5 V
供电电流 50 mA - -
存取时间(Max) 150 ns - -
负载电容 - 10.0 pF -
长度 - - 39.12 mm
宽度 - - 18.29 mm
高度 - - 9.4 mm
封装 DIP-28 DIP EDIP-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free