对比图
型号 NTMFS4833NT1G NTMFS4833NT3G NTMFS4935NT1G
描述 ON SEMICONDUCTOR NTMFS4833NT1G 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 191A, DFN5N 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorN 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 5 8
封装 SO-FL-8 SO-FL-8 SOIC-8
通道数 1 1 1
针脚数 5 - 8
漏源极电阻 0.0013 Ω 0.002 Ω 0.0027 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 125 W 48 W
阈值电压 1.5 V 1.5 V 1.63 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 34 ns 34 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 5600pF @12V(Vds) 5600pF @12V(Vds) 4850pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 910 mW - 930 mW
下降时间 17 ns 17 ns 6.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 910mW (Ta), 125W (Tc) 910mW (Ta), 125W (Tc) 930mW (Ta), 48W (Tc)
输入电容 5600pF @12V - -
漏源击穿电压 30 V 30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 191 A 191 A -
长度 4.9 mm 5.1 mm 5.1 mm
宽度 5.8 mm 5.8 mm 6.1 mm
高度 1 mm 1.1 mm 1.1 mm
封装 SO-FL-8 SO-FL-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2016/06/20
ECCN代码 EAR99 EAR99 -