对比图
型号 FDP8874 STP85N3LH5 STP90NF03L
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STP85N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 VN沟道30V - 0.0056ohm - 90A TO- 220 / I2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A TO-220/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 121 A - 90.0 A
漏源极电阻 3.60 mΩ 0.0046 Ω 6.5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 70 W 150 W
输入电容 3.13 nF - 2700 pF
栅电荷 56.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 114 A 40.0 A 90.0 A
上升时间 128 ns 14 ns 200 ns
输入电容(Ciss) 3130pF @15V(Vds) 1850pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 70 W 150 W
下降时间 31 ns 10.8 ns 105 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 110 W 70W (Tc) 150W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 2.5 V -
长度 10.67 mm - 10.4 mm
宽度 4.83 mm - 4.6 mm
高度 9.4 mm - 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99