对比图
型号 MJD32 NTE129 MJB42CT4G
描述 SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15WTransistor; PNP; TO-39; 80V (Max.); 80V (Max.); 5V (Max.); 1A (Max.); 25ON SEMICONDUCTOR MJB42CT4G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 3 MHz, 65 W, -6 A, 15 hFE
数据手册 ---
制造商 Motorola (摩托罗拉) NTE Electronics ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 - TO-39 TO-263-3
极性 - P-Channel, Dual P-Channel NPN, PNP
耗散功率 - 7 W 65 W
集电极击穿电压 - 80.0 V (min) -
击穿电压(集电极-发射极) - 80.0 V 100 V
直流电流增益(hFE) - 300 15
工作温度(Max) - 200 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 1250 mW 2000 mW
频率 - - 3 MHz
额定电压(DC) - - -100 V
额定电流 - - -6.00 A
针脚数 - - 3
增益频宽积 - - 3 MHz
集电极最大允许电流 - - 6A
最小电流放大倍数(hFE) - - 15 @3A, 4V
额定功率(Max) - - 2 W
封装 - TO-39 TO-263-3
长度 - - 10.29 mm
宽度 - - 11.05 mm
高度 - - 4.83 mm
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - - -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99
HTS代码 - 8541290075 -