对比图
描述 0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 30V Vceo, 0.1A Ic, 110 - 800 hFEZTX601 系列 160V 1A NPN 硅 平面 中等功率 达林顿晶体管 TO92NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
数据手册 ---
制造商 Continental Device Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 - E-Line-3 TO-92-3
额定电压(DC) - 160 V 25.0 V
额定电流 - 1.00 A 100 mA
极性 - NPN NPN
耗散功率 - 1 W 625 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 160 V 25 V
集电极最大允许电流 - 1A -
最小电流放大倍数(hFE) - 10000 @500mA, 10V 150 @2mA, 10V
额定功率(Max) - 1 W 625 mW
工作温度(Max) - 200 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
增益带宽 - 250 MHz -
耗散功率(Max) - 1 W 625 mW
集电极击穿电压 - - 40.0 V
最大电流放大倍数(hFE) - - 300
封装 - E-Line-3 TO-92-3
长度 - - 4.7 mm
宽度 - - 3.93 mm
高度 - - 4.7 mm
工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Bulk Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99