对比图
型号 2SC5108 BFR280 MMBTH10-4LT1G
描述 Silicon NPN Epitaxial Planar Type TransistorBFR280 NPN三极管 10V 10mA 7.5Ghz 30~200 SOT-23/SC-59 marking/标记 RENPN 25 V 225 mW 表面贴装 硅 晶体管 - SOT-23
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) Siemens Semiconductor (西门子) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管
封装 - SOT-23 SOT-23-3
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 - SOT-23 SOT-23-3
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
频率 - - 650 MHz
额定电压(DC) - - 25.0 V
额定电流 - - 4.00 mA
无卤素状态 - - Halogen Free
针脚数 - - 3
极性 - - NPN
耗散功率 - - 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) - - 25 V
最小电流放大倍数(hFE) - - 120 @4mA, 10V
额定功率(Max) - - 225 mW
直流电流增益(hFE) - - 120
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 225 mW
材质 - - Silicon
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99