对比图
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 11 Milliohms; ID 10.8A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V
额定电流 10.8 A 11.0 A
额定功率 - 2.5 W
漏源极电阻 14 mΩ 0.0085 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W
阈值电压 - 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30.0 V
栅源击穿电压 - ±18.0 V
连续漏极电流(Ids) 10.8 A 11.0 A
上升时间 21.0 ns 39 ns
输入电容(Ciss) 1801pF @10V(Vds) 1440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W
下降时间 - 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW
产品系列 IRF7811AV -
输入电容 1801pF @10V -
长度 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 1.5 mm 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17