对比图
型号 EMH4T2R NSBC114YDXV6T1G NSBC114EDXV6T5G
描述 NPN/NPN 50V 0.1A双偏置电阻晶体管双NPN偏置电阻晶体管 Dual NPN Bias Resistor Transistors双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-563 SOT-563-6 SOT-563
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V
额定电流 100 mA 100 mA 100 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.15 W 0.5 W 500 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V 80 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) 600 80 -
额定功率(Max) 150 mW 500 mW 500 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150 mW 500 mW 500 mW
额定功率 0.15 W - -
增益带宽 250 MHz - -
长度 1.6 mm 1.6 mm -
宽度 1.2 mm 1.2 mm -
高度 0.5 mm 0.55 mm -
封装 SOT-563 SOT-563-6 SOT-563
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃