PBSS4350SS和PBSS4350SS,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS4350SS PBSS4350SS,115

描述 NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsNXP PBSS4350SS,115, 双 NPN 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:300, 1 MHz, 8引脚 SOT-96封装

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOT-96-1 SOIC-8

额定功率 - 1.2 W

针脚数 - 8

耗散功率 - 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 300 300 @1A, 2V

额定功率(Max) - 2 W

直流电流增益(hFE) - 120

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2000 mW

极性 NPN -

集电极最大允许电流 2.7A -

长度 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm

高度 1.75 mm 1.75 mm

封装 SOT-96-1 SOIC-8

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99

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