FDG6316P和FDG6316P_NL

对比图

型号 FDG6316P FDG6316P_NL

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6316P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 700 mA, -12 V, 0.221 ohm, -4.5 V, -600 mVP-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 -

封装 SC-70-6 SC-70

额定电压(DC) -12.0 V -

额定电流 -700 mA -

针脚数 6 -

漏源极电阻 0.221 Ω -

极性 P-Channel, Dual P-Channel P-CH

耗散功率 300 mW -

输入电容 146 pF -

栅电荷 1.70 nC -

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V

漏源击穿电压 -12.0 V -

栅源击穿电压 ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) -700 mA 0.7A

上升时间 13 ns -

输入电容(Ciss) 146pF @6V(Vds) -

额定功率(Max) 300 mW -

下降时间 2 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 0.3 W -

阈值电压 - -

长度 2 mm -

宽度 1.25 mm -

高度 1 mm -

封装 SC-70-6 SC-70

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR -