对比图
型号 BSC057N03LSGATMA1 BSC080N03LSGATMA1 BSC0909NS
描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC057N03LSGATMA1, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装INFINEON BSC080N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8
额定功率 45 W 35 W -
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.0048 Ω 0.0067 Ω 7.7 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 35 W 2.5 W
阈值电压 1 V 2.2 V -
输入电容 1800 pF - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 34 V
连续漏极电流(Ids) 17A 14A 12A
上升时间 3.6 ns 2.8 ns 4.4 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @15V(Vds) 1300pF @15V(Vds) 1110pF @15V(Vds)
下降时间 3.2 ns 2.6 ns 5.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源击穿电压 - 30 V 34 V
额定功率(Max) - - 27 W
长度 5.49 mm 5.9 mm 5.9 mm
宽度 5.49 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 1.1 mm 1.27 mm 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -