对比图
型号 DMN3024LSD-13 ZXMN3G32DN8TA SI4944DY-T1-E3
描述 2个N沟道 30V 6.8AZXMN3G32 系列 30 V 0.028 Ohm 双 N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8MOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A 8-SOIC
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
极性 N-CH Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W 2.1 W -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 7.2A 7.10 A 12.2 A
上升时间 3.3 ns 3.1 ns -
输入电容(Ciss) 608pF @15V(Vds) 472pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) 1.8 W 1.25 W 1.3 W
下降时间 8 ns 9.7 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2000 mW 2100 mW -
长度 - 5 mm 4.9 mm
宽度 - 4 mm 3.9 mm
高度 - 1.5 mm 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -