BC860CB5003XT和SBC857CLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC860CB5003XT SBC857CLT1G BC857CE6327HTSA1

描述 SOT-23 PNP 45V 0.1APNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管Infineon BC857CE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 100 MHz 250 MHz

针脚数 - 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 225 mW 330 mW

增益频宽积 - - 250 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420

最大电流放大倍数(hFE) - - 800

额定功率(Max) 330 mW 300 mW 330 mW

直流电流增益(hFE) - 270 420

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 330 mW

长度 - 3.04 mm 2.9 mm

宽度 - 2.64 mm 1.3 mm

高度 - 1.11 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台