LM258D和LM358DRG3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM258D LM358DRG3 LM258DG

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM258D  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚双运算放大器 DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSON SEMICONDUCTOR  LM258DG  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 15.0 V - 5.00 V

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流 30mA @15V 30mA @15V 60 mA

供电电流 1 mA 1 mA 1.5 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 70 dB 65 dB 85 dB

带宽 700 kHz 700 kHz 1 MHz

转换速率 300 mV/μs 300 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 700 kHz 700 kHz 1 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 2 mV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 45 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -25 ℃ 0 ℃ -25 ℃

增益带宽 0.7 MHz 0.7 MHz 1 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 65 dB 70 dB

电源电压 - 3V ~ 32V 3V ~ 32V

电源电压(Max) - 32 V 32 V

电源电压(Min) - 3 V 3 V

输入电压 - - 0V ~ 28.3V

输入补偿漂移 7.00 µV/K 7.00 µV/K -

长度 4.9 mm - 5.0038 mm

宽度 3.91 mm - 4 mm

高度 1.58 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -25℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -25℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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